只要美国愿意就随时可切断中国的互联网！
2009年04月27日 星期一 20:18
信息社会世界峰会突尼斯阶段会议已于近日闭幕。会议在改革互联网国际管理体系方面并没有取得重大进展，美国仍然保持着对互联网国际管理的主导权。这意味着美国Government在任何时候都有能力把包括中国在内的其它国家或地区驱逐出国际互联网主干网。
国际在线消息：目前，全球互联网是由美国商务部下属的一家非营利性私营机构管理的，这个机构称为"互联网名称与数字地址分配机构(ICANN)"，自1998年成立以来，一直负责互联网IP地址的分配、顶级域名系统的管理等互联网国际管理事务。
美国是如何掌控全球互联网的
塑膠可以因熱能和壓縮而改變它的黏彈性，在流動時，塑膠會因拉伸(Tensile)及剪切(Shear)的應力而改變其分子鏈的糾纏狀態及方向。
塑膠的熔融液體在流動場中，受力改變分子鏈的特性，稱為『流變特性』，因為這種特性的影響，使得塑膠熔融黏度因剪切速率(或拉伸速率)的增加而減少，不同於一般的牛頓流體，所以又稱為『非牛頓流體特性』。
塑膠的密度會隨著溫度及受壓縮程度的變化而改變。溫度高時密度小；受壓縮程度大時密度大。
塑形後的成品在冷卻過程中，如果可以緩慢且充分的收縮，則其最終密度應回復到常溫時的穩定狀態。如果是急速冷卻的話，則可能形成密度不足的結果(尺寸變大)。
2008/01/24 09:27
日亞化學開發出連續振盪時中心波長為488nm的藍綠色半導體鐳射元件，08年3月開始樣品供貨。該產品在使用GaN係半導體鐳射元件並已投產的品種中，發光波長最長。
該產品用於替代在生物技術等領域的研發中使用的Ar（氬離子）鐳射器。在該領域，Ar鐳射器是作為螢光分析的激發光源，即用該鐳射照射附有螢光材料的DNA，以定量分析材料的發光。據日亞化學介紹，Ar鐳射器能量轉換效率只有幾個百分點，因此發熱量大，冷卻系統較大，所以一直渴望能夠減小鐳射照射裝置的尺寸。此次發表的藍綠色半導體鐳射器將能量轉換效率提高到了13％，可實現鐳射照射裝置的小型化。另外，日亞化學還提到了此次開發的元件與Ar鐳射器相比可進行高速調製的特點。在正于美國聖荷西舉行的“Photonics West”上，該公司1月22日開始在其展位上展示該產品。
高亮度藍色LED通過與紅色和綠色LED組合便可製造出各種顏色，接踵而來的便是促生出取代白熾燈和螢光燈的新一代節能照明巨大市場。堪稱是20世紀最偉大的發明之一
開發GaN LED的知名學者-->名古屋大學 赤崎勇教授
第一個將GaN LED量產化-->日亞化工, 中村修二
日亞化工主要產品為CRT及螢光燈等使用的螢光體材料, 此外還製造真空濺鍍鍍鈀材, 蒸鍍材料, 化合物半導體材料, 液晶面板背光源.
日亞在一舉成為全球聞名的公司是在1993年底開發出了亮度達到1cd的藍光發光二極體，並成功實施量產。曾一度被公認“要到21世紀才能實現”的高亮度藍色發光二極體, 在20世紀末進入了實用期
高亮度藍色發光二極體開發故事的終結篇。從第二篇到第四篇，介紹了自中村修二進入公司、到藍色發光二極體首次發光的過程。本篇將迎來大結局。高亮度發光二極體將完成開發。GaN發光二極體雖然發出了光，但光線相當暗。中村下決心從pn結型結構改為雙異質（Double Hetero）結構。之後開發速度迅速加快。開發也一帆風順，在雙異質結構中摻入雜質形成發光中心，實現了1cd的亮度，並最終投產。信號燈等應用產品也相繼開始出現。
1992年4月，從美國學會講演歸來的中村為了開發出雙異質結構，埋頭研究InGaN膜的生成（表1）。如果將雙異質結構導入到GaN發光二極體中，亮度應該會大為提高 注1）。
注1）當時已完成的是pn結型發光二極體。pn結型僅僅將p型與n型半導體進行接合，構造簡單。對pn結施加正向偏壓以注入電子，當電子在空穴（Hole）中再接合時便會產生光。而雙異質結構的發光二極體，則在能隙（Energy Gap）比發光層更大的半導體層夾入了發光層。發光層與周圍半導體層之間的接合方面，兩側均為異質接合（不同材料間的接合）。在對pn結施加正向偏壓時，所注入的載流子（Carrier）並不會全都從能帶向能帶遷移（再接合）。載流子的大部分將流出到電極，對發光不做貢獻。如果是雙異質型發光二極體，則發光層的能隙比周圍更小。因此，載流子被關閉在發光層中，再接合的機率提高。所以，如果採用雙異質結構，可將亮度提到比pn結型更高。
表1：藍色發光二極體開發年表(點擊放大)
從這一時期開始，中村的研究小組才得到資金及人才的投入。這是社長的決心產品化的體現。對於GaN發光二極體的研究，日亞已投入了數以億計的金額。從公司角度來看，這個決策如同從京都清水寺的舞臺上縱身一跳，生死只有天知道。終於等到了GaN發光二極體發光的這一天。所以公司希望儘早把其變成暢銷產品。作為決定投資的對象，社長對其寄予的期待之大不言自明。
本文是高亮度藍色發光二極體開發故事的第四篇。在第二篇和第三篇中講到開發人員中村修二進入公司後，在藍色發光二極體的研究方面取得了初步成果。本篇講述的是從開發工作開始步入軌道到二極體發出光亮的過程。自從製出作為發光層的GaN膜後，開發工作開始順利推進。中村修二完成了平滑GaN膜的生長、p型GaN膜的製造以及pn結發光二極體的試製。中村順勢將有望用於半導體鐳射器的雙異質結結構作為目標。但就在此時，一個意外的障礙出現了。
在遭遇突然無法製造出高品質GaN膜之後，時光轉眼就過去兩個月了。裝置改造，尤其是氣體噴出方式的精調仍在繼續之中。不過，上天並未拋棄中村。就在1990年都快要結束的時候，中村摸索找到了可以使GaN膜穩定生長的條件（圖1）。
圖1：GaN膜再次開始生長
在1990年9月份以來的兩個月內，薄膜持續處於無法生長的狀態。一旦氣體的噴出角度等出現微小偏離，薄膜就會無法生長。經過兩個月的反覆試驗，終於開始掌握了生長條件。引自1990年12月25日的實驗筆記。
當初能夠製成高品質GaN膜幾乎是個奇跡。因為只要薄膜的生長條件稍有變化，就會完全無法成膜。當初可以說是在如此嚴格的條件下，偶然製出了薄膜。不管怎麼說還是成功了。中村以此為激勵，成功地探索到了穩定的成膜條件。研發形勢朝著中村設想的方向發展。
本文是高亮度藍色發光二極體開發故事的第三篇。上篇講述了開發人員中村修二從進入日亞化學工業到選定藍色發光二極體作為研究課題的過程。本篇將繼續講述中村從著手開始研究到成功地使選定的GaN材料生長出結晶膜的故事。為了研究藍色發光二極體，首先必須掌握髮光層——薄膜的結晶生長技術。為此，中村遠赴美國學習，不過在美國則為製造裝置浪費了一年時間。回國後他仍繼續製造並改造裝置。經過長期艱苦的努力，終於取得了初步成果……
1988年3月，中村修二懷著激動的心情登上了飛往美國佛羅里達的航班。他將以研究員的身份在佛羅里達大學（University of Florida）學習一年（表1）。
表1：藍色發光二極體的開發年表。(點擊放大)
去美國做訪問研究員的契機，來自中村拜訪在德島大學求學時的校友酒井士朗（現德島大學教授）的交談。要製造藍色發光二極體，必須從形成用於藍色發光二極體的單晶膜著手。其技術包括MBE法（molecular beam epitaxy，分子束外延）注1）和MOCVD法（metal organic chemical vapor deposition，金屬有機物化學氣相沉積）注2）。中村毫不猶豫地選擇了MOCVD法。原因是MBE裝置的價格高達數億日元，公司根本不可能考慮購置。
注1）MBE（molecular beam epitaxy）法是在底板上生長出單晶膜的方法，屬於氣相生長法的一種。在對導入高真空中的原子（分子）束進行控制的同時，照射底板，使原子沉積。可稱為高精度真空沉積技術。製造使用矽及GaAs等化合物半導體的元件時，需要使用這種技術。
本文將以連載形式介紹高亮度藍色發光二極體的開發故事。本篇為中村修二從進入日亞化學工業到著手研究藍色發光二極體的整個過程。中村在進入該公司後一直在開發金屬Ga、InP、GaAs、GaAlAs等單結晶材料及多結晶材料。為了節約經費，從設備到部件加工的整個過程均由中村一人完成。雖然開發最終取得成功，並順利啟動了業務，但產品卻賣不出去。焦急之下，中村選擇了藍色發光二極體作為下一研究課題，而這是一種只要能業務化必定會暢銷的產品。
總部位於日本德島縣阿南市的日亞化學工業（以下簡稱日亞，注1）是當地頗為有名的公司。因為該公司有長達三週的夏季休假制度。員工將這一長假全部用到了阿波舞的練習上。而且到阿波舞演出正式舉行時，該公司還會派出員工組成的“日亞方陣”跳上大街。
注1）日亞化學工業是總部位於日本德島縣阿南市的化學品廠商。員工數量在1994年4月為640名，銷售額在1993年1月～1993年12月為167億日元。主要產品為CRT及螢光燈等使用的螢光體材料，佔銷售額的8成～9成。此外還製造化合物半導體材料、真空蒸鍍材料、濺鍍靶材以及液晶面板背照燈等使用的EL（場致發光）燈等。公司成立於1956年12月。在中村1979年進入公司時，銷售額約為40億日元，員工數量約為200名。
日亞化學工業在阿南的總部
20世紀90年代中期使得超過人類身高的超大螢幕全彩顯示器成為可能、2000年前後又為手機螢幕彩色化做出貢獻的，就是高亮度藍色發光二極體。藍色發光二極體技術還成為了開發藍色鐳射器的基礎，其實用化使得錄製高畫質節目的藍光成為現實。高亮度藍色LED通過與紅色和綠色LED組合便可製造出各種顏色，接踵而來的便是促生出取代白熾燈和螢光燈的新一代節能照明巨大市場。
日本的企業及大學為開發高亮度藍色LED做出了巨大貢獻。在GaN LED的研究階段，名古屋大學赤崎勇教授（現為名城大學特聘教授）領導的研究小組取得了出色的成果。在之後的實用化及高亮度化階段，日亞化學工業的中村修二（現為美國加州大學聖塔芭芭拉分校教授）發揮了重要作用。1995年1～3月《日經電子》連續報導了中村從GaN類藍色LED的研究開始到產品化為止的故事，此次本站將刊登該系列報導，希望能向讀者展現在該技術開發過程中，技術人員的艱辛與快樂。（記者：仲森智博)
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